一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法专利登记公告

专利名称：一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法

摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，含以下步骤：(1)在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；(2)将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；(3)采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；(4)经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池。该方法工艺简单，成本低廉，不需要使用昂贵的仪器和设备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210044607.0

专利申请（专利权）人：上饶光电高科技有限公司

专利发明（设计）人：许佳平;金井升;黄纪德;蒋方丹;陈良道

主权项：一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是含以下步骤：(1)在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；(2)将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；(3)采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；(4)经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池。

专利地区：江西