一种多晶硅片的钝化处理方法专利登记公告

专利名称：一种多晶硅片的钝化处理方法

摘要：本发明公开了一种多晶硅片的钝化处理方法，具有如下步骤：a、将多晶硅片背面抛光；b、将多晶硅片背面用化学试剂清洗后，淋干水滴；c、低温处理，在80～90℃的温度下将硅片烘干，烘干时间为一小时；d、使用PECVD法对多晶硅片进行等离子氧化铝薄膜的沉积，沉积后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜层；e、热处理，将沉积后的多晶硅片在400℃温度下进行退火处理；f、测试，对多晶硅片进行稳定状态下的少子寿命测试。本发明通过硅片的前期湿-热处理，在硅片表面形成了一个极薄的SiO2薄膜，且这层薄膜中富含水汽所带来的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047081.1

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：孙宝明

主权项：一种多晶硅片的钝化处理方法，其特征是：具有如下步骤：a、将多晶硅片背面抛光；b、将多晶硅片背面用化学试剂清洗后，从离子水中将硅片慢慢提起，以保证没有水珠挂在硅片上；c、低温处理，在80～90℃的温度下将硅片烘干，烘干时间为一小时；d、沉积，使用PECVD法对多晶硅片背面进行等离子氧化铝薄膜的沉积，正面减反膜沉积，沉积后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜层；e、热处理，将沉积后的多晶硅片在400℃温度下进行退火处理，以激发钝化性能；f、测试，采用少子寿命测试仪，对多晶硅片进行稳定状态下的少子寿命测试

专利地区：江苏