一种像素结构及其多次曝光方法专利登记公告

专利名称：一种像素结构及其多次曝光方法

摘要：本发明属于CMOS图像传感器技术领域，涉及一种像素结构，包括光电二极管、传输管、浮空扩散区、复位晶体管、源极跟随器、选通管和电荷泄放晶体管OF，电荷泄放晶体管的漏极接电源电压VDD，源极接到光电二极管的负极，通过栅压来控制光电二极管中光生电荷的泄放程度。本发明同时提供一种利用此种像素结构实现的多次曝光方法。本发明能够实现多次曝光信号的像素内叠加，省去了多次读出再融合的数字电路部分，从而提高了CMOS图像传感器动态范围。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210045638.8

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：姚素英;高志远;徐江涛;高静;徐超;高岑

主权项：一种像素结构，包括光电二极管PD、传输管、浮空扩散区FD、复位晶体管、源极跟随器、选通管，传输管的漏极和源极分别接到光电二极管的负极和浮空扩散区上，传输管的栅压用来控制光电二极管中的光生电荷是否向浮空扩散区移动；光电二极管的正极接地，形成反偏的二极管；复位管的漏极连接在电源电压VDD，源极连接浮空扩散区，通过复位管的栅压控制FD的复位；源极跟随器的漏极接电源电压VDD，栅极与浮空扩散区相连，用于缓冲输出的电压值；选通管的漏极和源极分别接到接源极跟随器的源极输出和列总线，栅极接选通控制信号，其特征在于，所述

专利地区：天津