CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器专利登记公告

专利名称：CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器

摘要：本发明涉及模拟集成电路设计领域。为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，扩大TDI技术的应用范围，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器，包括：两个差分采样电容Cs+和Cs-、全差分运放、两条输入总线、两条输出总线、n+1组积分器，CMOS-TDI图像传感器采用过采样率为(n+1)/n的滚筒式曝光，采样电容Cs+和Cs-的左极板分别连接到像素阵列的列总线上和某个参考电压Vref上，采样电容Cs+和Cs-的右极板分别连接到全差分运放的正、负输入端。本发明主要应用于半

专利类型：发明专利

专利号：CN201210068724.0

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：姚素英;聂凯明;徐江涛;高静;史再峰;王彬;徐新楠

主权项：一种CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器，其特征是，包括：两个差分采样电容Cs+和Cs?、全差分运放、两条输入总线、两条输出总线、n+1组积分器，CMOS?TDI图像传感器采用过采样率为(n+1)/n的滚筒式曝光，采样电容Cs+和Cs?的左极板分别连接到像素阵列的列总线上和某个参考电压Vref上，采样电容Cs+和Cs?的右极板分别连接到全差分运放的正、负输入端，所述的两条输入总线分别连接到全差分运放的正、负输入端，所述的两条输出总线分别连接到全差分运放的正、负输出端，所述的n+1组积分器分别连

专利地区：天津