SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片专利登记公告
专利名称：SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片
摘要：本发明提供了一种SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片。包括以下步骤：经预热步骤得到预热晶片；在预热晶片表面沉积SiOx钝化膜，在沉积SiOx钝化膜步骤前对预热晶片依次进行多次等离子体活化步骤和预沉积SiOx钝化膜步骤；依次重复等离子体活化处理步骤和预沉积步骤4～6次；预热步骤为在氮气氛围下进行。本发明提供的方法中多次反复沉积，每次沉积后用等离子体轰击钝化膜，使钝膜中的Si原子充分被氧化，可改善SiOx膜层质量，提高钝化膜的致密性，从而提高钝化的效果。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210045896.6
专利申请（专利权）人：湘能华磊光电股份有限公司
专利发明（设计）人：汪延明;姚禹;许亚兵;侯召男;牛凤娟
主权项：一种SiOx钝化膜的沉积方法，包括以下步骤：待沉积晶片经预热步骤得到预热晶片；在所述预热晶片表面沉积SiOx钝化膜，其特征在于，在所述沉积SiOx钝化膜步骤前对所述预热晶片依次进行多次等离子体活化步骤和预沉积SiOx钝化膜步骤；依次重复所述活化处理步骤和预沉积步骤4～6次；所述预热步骤是在氮气气氛下进行的。
专利地区：湖南
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