透镜焦点可调的发光二极管的圆片级封装方法专利登记公告

专利名称：透镜焦点可调的发光二极管的圆片级封装方法

摘要：本发明公开一种透镜焦点可调的发光二极管的圆片级封装方法，包括以下步骤：第一步，在硅圆片上刻蚀发光二极管透镜模具微槽阵列和环绕发光二极管透镜模具槽的间距控制模具微槽阵列，在发光二极管透镜模具微槽放置适量热释气剂；第二步，硅圆片和硼硅玻璃圆片在真空中阳极键合，形成密封腔体；第三步，将键合圆片在空气中加热保温，球形玻璃微腔和间距控制凸起环，冷却，退火，去除硅得到发光二极管封装透镜阵列；第四步，将发光二极管芯片贴装基板上；第五步，将所述圆片级玻璃微腔与基板进行粘结；第六步，通过间距控制环缺口向发光二极管芯片与圆片

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018943.8

专利申请（专利权）人：吕思远

专利发明（设计）人：吕思远

主权项：一种透镜焦点可调的发光二极管的圆片级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅圆片（1）上刻蚀与发光二极管阵列相对应的发光二极管透镜模具微槽(2)阵列和环绕发光二极管透镜模具槽(2)的间距控制模具微槽(3)阵列，发光二极管透镜模具微槽(2)与间距控制模具微槽(3)不连通，在发光二极管透镜模具微槽(2)放置适量的热释气剂（4）；?第二步，将刻蚀后的硅圆片(1)和硼硅玻璃圆片(5)在真空中阳极键合，形成密封腔体；第三步，将上述键合好的硅圆片和硼硅玻璃圆片在空气中加热至820℃~950℃，并保温0.5~1

专利地区：江苏