具有室温磁电阻效应的Ti_0.57Cr_0.43N/p-Si异质结构及制备方法专利登记公告

专利名称：具有室温磁电阻效应的Ti_0.57Cr_0.43N/p-Si异质结构及制备方法

摘要：本发明涉及一种具有室温磁电阻效应的Ti0.57Cr0.43N/p-Si异质结构及制备方法。本发明通过大量的实验研究，将Cr掺入氮化钛中，并与导体Si形成异质结构，包括改变实验过程中的基底温度和改变样品中的Cr的含量。该异质结构具有大的室温磁电阻效应。本发明在制备多晶Ti0.57Cr0.43N/p-Si异质结构时，Ti0.57Cr0.43N层为多晶结构，并且为柱状生长；与单晶Si之间的界面没有发生扩散现象，形成异质结构；在电流迁都为0.04mA时和200奥斯特磁场下，磁电阻达200％。本发明所涉及的多晶Ti

专利类型：发明专利

专利号：CN201210046035.X

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：米文博;段秀峰;白海力

主权项：一种具有室温磁电阻效应的Ti0.57Cr0.43N/p?Si异质结构，其特征是Ti0.57Cr0.43N层为多晶结构，并且为柱状生长；与单晶Si之间的界面没有发生扩散现象，形成异质结构；在电流迁都为0.04mA时和200奥斯特磁场下，磁电阻达200％。

专利地区：天津