测量浮栅器件的耦合系数的方法专利登记公告

专利名称：测量浮栅器件的耦合系数的方法

摘要：一种测量浮栅器件的耦合系数的方法，通过对浮栅器件的控制栅、选择栅、源区、半导体衬底所对应的端口进行两两测量，获得保持对应的栅致漏电流不变的情况下，所对应的两个端口的电压变化量之间的关系式，根据所述多个关系式，得到控制栅、选择栅、源区、半导体衬底分别与浮栅之间的耦合系数。本发明的测量浮栅器件的方法简单，通过多个关系式，求解多个未知数，可以方便有效的计算得出与浮栅器件相邻的元件对其的耦合系数；用于测量所述浮栅器件的耦合系数的测试设备只需2-3个测试端口即可，对所述测试设备的要求较低。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210049220.4

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：张雄;尹晓冉

主权项：一种测量浮栅器件的耦合系数的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构包括相互分立的第一子栅极结构和第二子栅极结构，且两者通过层间介质层隔离，其中，所述第一子栅极结构包括位于层间介质层表面的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的浮栅、位于所述浮栅表面的第二绝缘层、以及位于所述第二绝缘层表面的控制栅；所述第二子栅极结构包括位于层间介质层表面的第三绝缘层和位于所述第三绝缘层表面的选择栅；所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；对控制栅、选择栅、源区、半导体衬底

专利地区：上海