半导体晶片的多区域温度控制专利登记公告

专利名称：半导体晶片的多区域温度控制

摘要：本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210022051.5

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：张钧琳;吴欣贤;魏正泉;杨棋铭;陈其贤;叶俊林;林日泽;王若飞;范明煜;牟忠一

主权项：一种方法，包括：对由滚筒或静电盘支撑的半导体晶片上执行离子注入工艺；以及将第一和第二不同的冷却剂流体提供到位于所述滚筒或静电盘中或者与所述滚筒或静电盘邻近的对应第一和第二流体管道中，所述第一和第二流体管道对应所述滚筒或静电盘的第一和第二区域，从而在所述离子注入工艺中对邻近所述滚筒或静电盘的第一和第二区域的所述晶片的第一和第二部分的对应晶片温度进行独立控制。

专利地区：台湾