利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法专利登记公告

专利名称：利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法

摘要：本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015989.4

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：汤佳杰;罗乐;徐高卫;陈骁

主权项：一种利用集成电阻测量埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于所述的接面温度是指埋置芯片和沉底接面间的温度，在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度，热敏电阻种类根据需要、性能和成本进行选择：(1)制造半导体电阻就在埋置槽中扩散或注入离子；(2)制造薄膜电阻，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线；在此过程中，电阻的引脚需通过布线引出埋置槽以便在芯片埋入后，然后再在衬底表面形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响；通过

专利地区：上海