晶片的激光加工方法和激光加工装置专利登记公告

专利名称：晶片的激光加工方法和激光加工装置

摘要：本发明提供一种无需增大间隔道宽度、也无需在晶片的表面粘贴切割带就能够在晶片的内部沿着间隔道形成变质层的晶片的激光加工方法和激光加工装置。所述晶片的激光加工方法在晶片的内部沿着间隔道形成变质层，所述晶片在表面呈格子状地形成有多条间隔道并且在由多条间隔道划分出的多个区域形成有器件，所述晶片的激光加工方法包括：晶片支承工序，在所述晶片支承工序中，将晶片的背面粘贴至安装于环状框架的切割带；和变质层形成工序，在所述变质层形成工序中，使波长相对于切割带和晶片具有透射性的激光光线从切割带侧将聚光点定位于晶片的内部并沿着

专利类型：发明专利

专利号：CN201210049566.4

专利申请（专利权）人：株式会社迪思科

专利发明（设计）人：广沢俊一郎;赵金艳

主权项：一种晶片的激光加工方法，该晶片的激光加工方法是在晶片的内部沿着间隔道形成变质层的方法，所述晶片在表面呈格子状地形成有多条间隔道，并且所述晶片在由所述多条间隔道划分出的多个区域形成有器件，所述晶片的激光加工方法的特征在于，所述晶片的激光加工方法包括：晶片支承工序，在所述晶片支承工序中，将晶片的背面粘贴至安装于环状框架的切割带；和变质层形成工序，在所述变质层形成工序中，使波长相对于切割带和晶片具有透射性的激光光线从切割带侧将聚光点定位于晶片的内部并沿着间隔道进行照射，而在晶片的内部沿着间隔道形成变质层。

专利地区：日本