芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法专利登记公告

专利名称：芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法

摘要：本发明涉及一种芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、将芯片背面进行背银或背金处理；步骤二、将步骤一完成背银或背金处理的芯片的背银或背金面上进行镀锡或锡合金作业；步骤三、将步骤二背银或背金面完成镀锡或锡合金作业的芯片进行切割；步骤四、将步骤三切割完后的芯片采用共晶工艺安装到基岛上，完成装片。本发明一种芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法，它对芯片尺寸无要求，而且芯片背面披覆上一层锡或锡合金以后，由于锡或锡合金的厚度可以控制，锡或锡合金层厚度可以有效吸收芯片与基岛间不同的应力，解

专利类型：发明专利

专利号：CN201210050688.5

专利申请（专利权）人：长电科技（滁州）有限公司

专利发明（设计）人：谢洁人;王新潮;俞斌;吴昊

主权项：一种芯片背面披覆锡共晶工艺及其装片方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、将芯片背面进行背银或背金处理；步骤二、将步骤一完成背银或背金处理的芯片的背银或背金面上进行披覆锡或锡合金作业；步骤三、将步骤二背银或背金面完成披覆锡或锡合金作业的芯片进行切割；步骤四、将步骤三切割完后的芯片采用共晶工艺安装到基岛上，完成装片。

专利地区：安徽