一种负磁导率超材料专利登记公告

专利名称：一种负磁导率超材料

摘要：本发明涉及一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，所述微结构层上周期性的阵列着微结构，所述微结构由四根长度相等的螺旋金属线等间距嵌套而成，所述微结构绕其旋转对称中心旋转90°、180°、270°后分别与初始微结构重合。在实现负磁导率的前提下，采用本发明可以有效降低超材料的谐振频率，满足一些特殊条件下对负磁导率值的要求，制成的超材料符合各向同性，本发明对于超材料产业的发展具有重要意义，具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051068.3

专利申请（专利权）人：深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;赵治亚;郭洁;余铨强

主权项：一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，其特征在于，所述微结构层上周期性的阵列着微结构，所述微结构由四根长度相等的螺旋金属线等间距嵌套而成，所述微结构绕其旋转对称中心旋转90°、180°、270°后分别与初始微结构重合。

专利地区：广东