一种负磁导率超材料专利登记公告

专利名称：一种负磁导率超材料

摘要：本发明涉及一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，所述微结构层上周期性的阵列多个微结构，所述微结构为螺旋形微结构。在实现负磁导率的前提下，采用本发明可以将超材料的谐振频率降到50MHz以下，可以在较低频段实现超材料的磁导率为负，同时，本发明超材料呈各向异性，对于超材料产业的发展具有重要意义，具有良好的发展前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051069.8

专利申请（专利权）人：深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;赵治亚;郭洁;刘豫青

主权项：一种负磁导率超材料，所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层，其特征在于，所述微结构层上周期性的阵列多个微结构，所述微结构为螺旋形微结构。

专利地区：广东