采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路专利登记公告

专利名称：采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路

摘要：一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接，形成闭合回路。本发明提供的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，其可降低相位噪声，具有功耗低及设计成本低的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052015.3

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：司朝伟;韩国威;宁瑾;刘晓东

主权项：一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接，形成闭合回路。

专利地区：北京