半导体器件及其制造工艺以及电子装置专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造工艺以及电子装置

摘要：本公开涉及半导体器件及其制造工艺以及电子装置。所述半导体器件包括：包括半导体的半导体基板；形成在所述半导体基板内的第一表面侧上的电极层；层叠在所述半导体基板的第一表面上的框体层；导体层，形成在通过使所述电极层在所述半导体基板的第一表面上暴露出来的方式加工所述半导体基板和所述框体层而形成的开口部分中；纵孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿透所述半导体基板直到所述导体层；和配线层，在所述纵孔的端部处经由所述导体层电气地连接至所述电极层，并延伸至所述半导体基板的第二表面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052600.3

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：长田昌也

主权项：一种半导体器件，包括：包括半导体的半导体基板；形成在所述半导体基板内的第一表面侧上的电极层；层叠在所述半导体基板的第一表面上的框体层；导体层，形成在通过使所述电极层在所述半导体基板的第一表面上暴露出来的方式加工所述半导体基板和所述框体层而形成的开口部分中；纵孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿透所述半导体基板直到所述导体层；和配线层，在所述纵孔的端部处经由所述导体层电气地连接至所述电极层，并延伸至所述半导体基板的第二表面。

专利地区：日本