基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法专利登记公告

专利名称：基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法

摘要：本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法，首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极，这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通，与其呈欧姆接触；然后通过二次紫外光刻，在该对金属薄膜电极中插入铟锡氧化物(ITO)透明薄膜电极，所述ITO薄膜电极与所述CuS准一维纳米结交叉呈肖特基接触，形成CuS/ITO肖特基结纳米太阳能电池。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到多种准一维纳米尺寸的肖特基结纳米太阳能电池的制备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210053645.2

专利申请（专利权）人：合肥工业大学

专利发明（设计）人：吴春艳;张梓晗;吕鹏;吴义良;王文坚;于永强;王莉;罗林保;揭建胜

主权项：基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法，其特征在于：将CuS准一维纳米结构(3)分散在覆有绝缘层(2)的硅片(1)上，通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一金属薄膜电极对(4)，所述金属薄膜电极(4)通过所述CuS准一维纳米结构(3)连通并且所述金属薄膜电极对(4)与CuS准一维纳米结构(3)呈欧姆接触；然后通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一ITO透明薄膜电极(5)，所述ITO透明薄膜电极(5)位于所述金属薄膜电极对(4)之间并且与所述CuS准一维纳米结构(3)交叉呈肖特基接触，得到基

专利地区：安徽