一种MEMS和IC单片集成方法专利登记公告

专利名称：一种MEMS和IC单片集成方法

摘要：本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060342.3

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：赵丹淇;张大成;林琛;何军;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵

主权项：一种MEMS和IC单片集成方法，包括以下步骤：1)在基片上采用IC工艺在IC区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；2)采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；3)刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层；4)刻蚀IC区域的氧化硅保护层形成引线孔，然后淀积并图形化金属形成金属互连；5)用光刻胶保护MEMS结构以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构；6)去除光刻胶，制得单片集成芯片。

专利地区：北京