一维大尺度多级台阶结构的制作方法专利登记公告

专利名称：一维大尺度多级台阶结构的制作方法

摘要：本发明涉及一种一维大尺度多级台阶结构的制作方法，包括以下步骤：在衬底上沉积一层阻挡层；涂覆第一光刻胶，光刻形成第一窗口；刻蚀第一窗口内的阻挡层，去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，光刻形成第二窗口，所述第二窗口与第一窗口位置相对应且宽度小于第一窗口；刻蚀第二窗口内的衬底，在衬底上得到第一台阶，去除第二光刻胶；以阻挡层为掩膜刻蚀衬底，在衬底上得到第二台阶；去除阻挡层。本发明采用一层阻挡层和多次光刻工艺，在衬底上形成多级台阶，台阶的高度能达到微米量级甚至纳米量级，从而提高了一维大尺度器件的性能，本发明还采用牺牲层

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061113.3

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：张挺;陈健;刘纵曙;张艳红

主权项：一种一维大尺度多级台阶结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上沉积一层阻挡层；涂覆第一光刻胶，光刻形成第一窗口；刻蚀第一窗口内的阻挡层，去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶，光刻形成第二窗口，所述第二窗口与第一窗口位置相对应且宽度小于第一窗口；刻蚀第二窗口内的衬底，在衬底上得到第一台阶，去除第二光刻胶；以阻挡层为掩膜刻蚀衬底，在衬底上得到第二台阶；去除阻挡层。

专利地区：上海