隔离深沟槽及其高压LED芯片的制造方法专利登记公告

专利名称：隔离深沟槽及其高压LED芯片的制造方法

摘要：本发明提出一种隔离深沟槽的制造方法，步骤如下：在衬底上形成一掩膜层，通过刻蚀在掩膜层中形成多个相互隔离的窗口，每个窗口底部暴露出衬底；采用选择LED结构外延侧向过生长，在各窗口内及窗口周围的部分掩膜层上分别形成外延结构，每个外延结构具有下宽上窄的梯形截面，且相邻外延结构之间的间隙构成第一深沟槽；对各个外延结构进行刻蚀，在每个外延结构的两侧分别形成第一台阶和第二台阶，在相邻外延结构之间的掩膜层上方形成隔离深沟槽。本发明还提出一种高压LED芯片的制造方法，可降低高压LED芯片内隔离深沟槽制作成本及提高高压LE

专利类型：发明专利

专利号：CN201210055801.9

专利申请（专利权）人：映瑞光电科技（上海）有限公司

专利发明（设计）人：姚陆军;肖德元;张汝京;于洪波

主权项：一种隔离深沟槽的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底表面形成一掩膜层，通过刻蚀在所述掩膜层中形成多个相互隔离的窗口，每个所述窗口底部暴露出衬底；通过选择LED结构外延侧向过生长，在各窗口内及窗口周围的部分掩膜层上分别形成外延结构，每个外延结构具有下宽上窄的梯形截面，且相邻外延结构之间的间隙构成第一深沟槽，所述外延结构由下至上依次包括N型氮化物层、多量子阱层、P型氮化物层；对各个外延结构进行刻蚀，在每个外延结构的两侧分别形成第一台阶和第二台阶，所述第一台阶和第二台阶均贯穿P型氮化物层、量子阱层，停

专利地区：上海