一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法专利登记公告

专利名称：一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法

摘要：本发明公开了一种多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法，该方法包括：步骤S1恒定源扩散、步骤S2升温限定源扩散、步骤S3恒定源扩散。在本发明中，由于步骤S3恒定源扩散，增加了对多晶硅硅片表面杂质磷的沉积。因此，在步骤S1中，可以相应地减少一次沉积的杂质磷，从而避免了杂质磷的过量沉积。并且，步骤S3是在高温下，此时多晶硅对磷原子的固溶度增加，沉积的杂质磷不需要再进行推进，通过控制杂质磷的沉积量来控制杂质磷在多晶硅中的溶解量，避免了由于过量沉积并再次进行推进而产生的“死区”存在。本发明所提供的多晶硅硅片制PN结

专利类型：发明专利

专利号：CN201210056535.1

专利申请（专利权）人：英利能源（中国）有限公司

专利发明（设计）人：范志东;王静;张东升;赵学玲;吝占胜

主权项：一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)在730℃至820℃的温度下对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散；2)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行限定源扩散：3)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散。

专利地区：河北