掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法专利登记公告

专利名称：掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法

摘要：掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Ho:BaY2F8晶体掺杂浓度低，尺寸小、晶体形貌差。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体生长方法包括生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤。在生长料制备步骤中，提供F、Gd、Y、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2∶GdF3∶YF3＝1∶1∶1，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(1-x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057151.1

专利申请（专利权）人：长春理工大学

专利发明（设计）人：曾繁明;李春;张学建;刘景和;谷亮;林海;张山丽;苗东伟;刘敏时

主权项：一种掺钬氟化钆钇钡晶体，属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，其特征在于，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。

专利地区：吉林