一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体及其制备方法

摘要：本发明公开了一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体，含有Bi53+团簇离子的卤化物晶体，所述含铋晶体为Bi5(GaCl4)3、Bi5(AlCl4)3、Bi5(AsF6)3S2O4。本发明还公开了在无水无氧条件下采用熔体法制备上述含有Bi53+团簇离子的卤化物晶体的方法。与现有技术相比，本发明制备的具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体具有覆盖300-1100nm区间的吸收，具有1000-3000nm的超宽带荧光，荧光寿命在微秒量级，只有一种类型的Bi53+发光中心，作为增益介质，应用在超宽带波长可调谐新型激光

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088940.1

专利申请（专利权）人：华南理工大学

专利发明（设计）人：彭明营;曹人平;邱建荣

主权项：一种具有1?3微米超宽带发光的含铋晶体，其特征在于，含有Bi53+团簇离子的卤化物晶体。

专利地区：广东