用于制造半导体器件的多层结构和工艺专利登记公告

专利名称：用于制造半导体器件的多层结构和工艺

摘要：本发明公开了一种用于制造半导体器件的多层结构和工艺。本发明的方法包括：提供绝缘体上硅SOI堆叠，该SOI堆叠包括衬底层、在衬底层上的第一氧化物层和在第一氧化物层(BOX层)上的硅层；形成SOI堆叠的至少一个第一区域，其中通过热氧化硅层的一部分来薄化硅层；以及形成SOI堆叠的至少一个第二区域，其中通过退火来薄化第一氧化物层(BOX层)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057529.8

专利申请（专利权）人：索泰克公司

专利发明（设计）人：比什-因·阮;卡洛斯·马祖拉;理查德·费朗

主权项：一种方法，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅SOI堆叠，所述SOI堆叠包括衬底层、在所述衬底层上的第一氧化物层以及在所述第一氧化物层(BOX层)上的硅层；形成所述SOI堆叠的至少一个第一区域，其中通过热氧化所述硅层的一部分来薄化所述硅层；以及形成所述SOI堆叠的至少一个第二区域，其中通过退火来薄化所述第一氧化物层(BOX层)。

专利地区：法国