半导体失配的减少专利登记公告

专利名称：半导体失配的减少

摘要：公开了用于半导体失配减少的系统和方法。实施例包括：半导体器件的高密度区域和低密度区域的导体密度和有源区域密度。为了提高导体密度和有源区域密度，可以将伪材料添加至低密度区域，从而减少了在高密度区域和低密度区域之间的内部密度失配。另外，可以将类似处理用于减少在位于半导体衬底上的不同区域之间的外部失配。一旦已经减少了这些失配，为了减少导体密度失配和有源区域密度失配，就可以额外填充围绕不同区域的空白区域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039247.5

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：陈重辉;沈瑞滨;彭永州;康伯坚;谢仲朋

主权项：一种用于减少失配的方法，包括：确定半导体衬底的高密度区域中的第一密度和所述半导体衬底的低密度区域中的第二密度的数值，所述高密度区域与所述低密度区域邻近；以及通过将伪材料添加在所述低密度区域中来提高所述低密度区域中的所述第二密度。

专利地区：台湾