一种制备磁性锗量子点的方法专利登记公告

专利名称：一种制备磁性锗量子点的方法

摘要：本发明公开了一种制备磁性锗量子点的方法，先应用化学气相沉积方法在硅片上沉积锗量子点，然后应用磁控溅射方法进行锗量子点的原位掺杂。在锗量子点生长过程中，磁控溅射系统不工作，在锗量子点形成之后，利用磁控溅射技术原位掺杂Mn离子。应用这种化学气相-溅射法生长的Ge：Mn磁性量子点均匀地低分散在硅片上，呈漂亮的、高度对称的球形形状，并且在室温下具有很强的饱和磁化强度和矫顽力，呈现出很强铁磁性特征。该磁性Ge:Mn量子点可用于制备各种电磁二极管、电磁三极管和场效应晶体管等。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110327332.7

专利申请（专利权）人：苏州科技学院

专利发明（设计）人：马锡英

主权项：????一种制备磁性锗量子点的方法，其特征在于，具体制备方法如下：步骤1）使用由沉积室、抽气系统、加热系统、气体流量控制系统、等离子体射频系统和磁控溅射系统六部分构成的反应性磁控溅射系统作为生长系统；步骤2）选择n型硅片作为衬底，依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗，然后用氮气吹干，放进生长系统中的等离子体射频系统中阴极的中心部位；步骤3）采用锗烷作为反应气体，氩气作为稀释和溅射气体，锰靶作为掺杂靶；步骤4）先应用化学气相沉积沉积锗量子点，然后应用磁控溅射方法进行锗量子点的原位掺杂，即得磁性锗量子点。

专利地区：江苏