基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法专利登记公告

专利名称：基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法

摘要：本发明公开了一种基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法，该方法将电子束抗蚀剂固定在纳米岛上，并且镂空硅衬底减小电子束的背散射，以此增强电子束抗蚀剂的抗倒塌能力，并通过电子束直写、显影、电镀和刻蚀电镀种子层，形成大高宽比衍射光学元件。本发明采用薄膜衬底减少电子束背散射和增强抗蚀剂同衬底粘附性相结合的方法，有效增强了抗蚀剂的抗倒塌性能，可以制备出高宽比可以达到10∶1以上的X射线衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠，工艺方法易实现，且与传统的光刻工艺兼容的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110061442.3

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：李海亮;谢常青;朱效立;史丽娜;刘明

主权项：一种基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法，其特征在于，该方法将电子束抗蚀剂固定在纳米岛上，并且镂空硅衬底减小电子束的背散射，以此增强电子束抗蚀剂的抗倒塌能力，并通过电子束直写、显影、电镀和刻蚀电镀种子层，形成大高宽比衍射光学元件。

专利地区：北京