半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法

摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057692.4

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：下村明久;宫入秀和

主权项：一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：对半导体衬底照射离子种，由此在所述半导体衬底中形成损伤区域；在基底衬底和所述半导体衬底中的至少一个上形成接合层；将所述基底衬底和所述半导体衬底隔着所述接合层彼此贴合；通过加热设备在第一温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底；以及通过快速热退火设备在第二温度加热所述半导体衬底和所述基底衬底，使得在所述半导体衬底的损伤区域处分离的半导体层隔着所述接合层形成在所述基底衬底上。

专利地区：日本