P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法专利登记公告

专利名称：P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

摘要：本发明公开了一种P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C3H8；当温度达到1580℃后，对衬底进行原位刻蚀10～30min；其后保持反应室温度1580℃，气压100mbar，在20L/min的氢气流中加入流量为15～24mL/min的SiH4，流量为5～10mL/min的C3H8和流量为3.2×10-5mol/min的三甲基铝，生长外延层；生长结束后，在氢气流中

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077304.9

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：王悦湖;杨阳;张玉明;张晓朋

主权项：一种P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，包括如下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)保持反应室气压为100mbar，在20L/min的氢气流中，使用加热源逐渐加热衬底，使其温度缓缓上升，当温度超过1400℃后，在氢气流中加入流量为5～10mL/min的C3H8；(3)当反应室温度达到1580℃后，保持温度恒定，继续保持反应室气压和氢气流中加入的C3H8流量不变，采用H2与C3H8的混合气体对衬底进行10～30min的原位刻蚀；(4)保持反应室气压和温度恒定，在1

专利地区：陕西