半导体非易失性存储器及数据写入方法专利登记公告

专利名称：半导体非易失性存储器及数据写入方法

摘要：本发明的目的在于提供一种半导体非易失性存储器及数据写入方法，使其可以迅速且高精度地使对应于写入数据的规定量的电荷存储在存储器单元的电荷存储部中。当通过向存储器单元的漏极区域或者源极区域施加对应于写入数据的写入电压来向该存储器单元中形成的电荷存储部注入电荷时，根据存储在电荷存储部中的电荷量的增加来降低写入电压。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210058536.X

专利申请（专利权）人：拉碧斯半导体株式会社

专利发明（设计）人：松井克晃;小川绚也

主权项：一种半导体非易失性存储器，其具有多个存储器单元，各个存储器单元由具有电荷存储部的MOSFET构造构成，该半导体非易失性存储器的特征在于，具有：写入电压施加部，其通过向所述存储器单元的任意一个漏极区域或者源极区域施加对应于写入数据的写入电压来向所述电荷存储部注入电荷；和控制部，其根据存储在所述电荷存储部中的电荷量的增加，降低所述写入电压。

专利地区：日本