一种锗单质薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种锗单质薄膜的制备方法

摘要：一种锗单质薄膜的制备方法，涉及一种薄膜。导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节pH值，加入支持电解质；使用三电极体系，控制反应电位为-900～-1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜，结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059186.9

专利申请（专利权）人：厦门大学

专利发明（设计）人：孙志梅;萨百晟;王振兴;周健;潘元春

主权项：一种锗单质薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)导电基片预处理；2)配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制含有浓度为0.1～20mmol/L的锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节电解质溶液的pH值，在电解质溶液中加入支持电解质；3)恒电位电化学沉积：使用三电极体系，工作电极为导电玻璃，参比电极为饱和KCl电极，对电极为铂网，控制反应电位为?900～?1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜。

专利地区：福建