分栅式闪存结构制造方法以及分栅式闪存结构专利登记公告

专利名称：分栅式闪存结构制造方法以及分栅式闪存结构

摘要：本发明提供了一种分栅式闪存结构制造方法以及分栅式闪存结构。根据本发明的分栅式闪存结构制造方法包括：在半导体衬底上布置间隔设置的源极区域和漏极区域；在半导体衬底上布置第一多晶硅层；在半导体衬底上布置第二多晶硅层；在所述第一控制栅和所述第二控制栅上分别并排地布置第一氮化硅区、第一隔离区和第二氮化硅区、第二隔离区；刻蚀所述第二多晶硅层以形成第一控制栅和第二控制栅；在所述第一隔离区、所述第二多晶硅层上以及所述第二隔离区、所述第二多晶硅层上分别生长第一氮化硅层和第二氮化硅层；在第一氮化硅层和第二氮化硅层上生长第一中

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061102.5

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：顾靖

主权项：一种分栅式闪存结构制造方法，其特征在于包括：在半导体衬底上布置间隔设置的源极区域和漏极区域；在半导体衬底上布置第一多晶硅层；在半导体衬底上布置第二多晶硅层；在所述第一控制栅和所述第二控制栅上分别并排地布置第一氮化硅区、第一隔离区和第二氮化硅区、第二隔离区；刻蚀所述第二多晶硅层以形成第一控制栅和第二控制栅；在所述第一隔离区、所述第二多晶硅层上以及所述第二隔离区、所述第二多晶硅层上分别生长第一氮化硅层和第二氮化硅层；在第一氮化硅层和第二氮化硅层上生长第一中间氧化层和第二中间氧化层；利用所述第一中间氧化层和所述

专利地区：上海