铝铜膜的物理气相沉积方法专利登记公告

专利名称：铝铜膜的物理气相沉积方法

摘要：本发明提供一种铝铜膜的物理气相沉积方法，包括：将衬底送入处理腔室，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积。其中，所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座；所述铝铜靶材背面设有磁控配件组，所述腔体中设有第一冷却水系统，所述磁控配件组内部设有第二冷却水系统，所述衬底基座中设有第三冷却水系统和加热器。在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中，所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统保持循环。采用本发明的技术方案，可以将腔室温度变化范围控制在5℃以内，从而有效地降低胡须状缺陷的发生率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061105.9

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：刘峰松;徐雷军;归剑;孙远;何德安

主权项：一种铝铜膜的物理气相沉积方法，包括：将衬底送入处理腔室，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积；其中，所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座；所述铝铜靶材背面设有磁控配件组，所述腔体中设有第一冷却水系统，所述磁控配件组内部设有第二冷却水系统，所述衬底基座中设有第三冷却水系统和加热器；其特征在于，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中，所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统保持循环。

专利地区：上海