硅片的清洗工艺专利登记公告

专利名称：硅片的清洗工艺

摘要：本发明所公开的是一种硅片的清洗工艺，以经过切割处理的硅片为加工对象，该清洗工艺依次按以下步骤进行：第一步：将硅片放入装有清洗混合溶液的超声波清洗机内进行清洗；第二步：漂净；第三步：甩干；第四步：将硅片放入腐蚀溶液中进行腐蚀；第五步：漂净；第六步：将硅片进行超声波清洗；第七步：漂净；第八步：甩干；第九步：将经第八步甩干后的硅片放入烘箱内烘燥，即硅片清洗完毕。本发明具有工艺合理、硅片表面清洁度高等特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061167.X

专利申请（专利权）人：常州银河半导体有限公司

专利发明（设计）人：唐国琴

主权项：一种硅片的清洗工艺，以经过切割处理的硅片为加工对象，其特征在于：该清洗工艺依次按以下步骤进行：第一步：将硅片放入装有清洗混合溶液的超声波清洗机内进行清洗，且清洗时间控制在16~25分钟范围内，所述超声波清洗机的频率控制在40~55Hz范围内，所述清洗混合溶液是由去离子水：清洗剂按容积比为22~25??：0.6~1.0配制的混合液；第二步：将经第一步清洗后的硅片，放入装有去离子水的水槽内多次冲洗后取出；第三步：将经第二步冲洗后的硅片放入甩干机内甩干，且甩干机的转速控制在650~750转/分钟范围内；第四步：

专利地区：江苏