背面金属工艺中断后晶片的返工方法专利登记公告

专利名称：背面金属工艺中断后晶片的返工方法

摘要：本发明涉及一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，包括以下步骤：当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对晶片进行降温；腔室破真空，取出晶片；重返高真空腔室对晶片进行烘烤；继续当前金属层的背面金属工艺。本发明在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210044578.8

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：姜剑光;徐雷军;刘峰松;厉冰峰;陈怡骏

主权项：一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，其特征在于，包括以下步骤：当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对所述晶片进行降温；腔室破真空，取出所述晶片；所述晶片重返高真空腔室进行烘烤；所述晶片继续当前金属层的背面金属工艺。

专利地区：上海