在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法专利登记公告

专利名称：在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法

摘要：一种在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，包括如下步骤在于：步骤1：将自然氧化的衬底放在分子束外延设备样品架上，将衬底升温；步骤2：当衬底升至预定温度后，再将衬底温度降温；步骤3：待衬底温度稳定后，打开In挡板，在衬底上沉积In层；步骤4：关闭In挡板，弛豫一段时间，使沉积的In层在衬底上不均匀的氧化层开口处形成In液滴；步骤5：然后同时打开In和As挡板，在沉积的In层上生长InAs纳米线；步骤6：生长结束后，先关In挡板，再对衬底降温，待衬底温度降至450℃以下再关As挡板，完成InAs纳米

专利类型：发明专利

专利号：CN201210033519.0

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：赵建华;王思亮;俞学哲;王海龙

主权项：一种在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，包括如下步骤在于：步骤1：将自然氧化的衬底放在分子束外延设备样品架上，将衬底升温；步骤2：当衬底升至预定温度后，再将衬底温度降温；步骤3：待衬底温度稳定后，打开In挡板，在衬底上沉积In层；步骤4：关闭In挡板，弛豫一段时间，使沉积的In层在衬底上不均匀的氧化层开口处形成In液滴；步骤5：然后同时打开In和As挡板，在沉积的In层上生长InAs纳米线；步骤6：生长结束后，先关In挡板，再对衬底降温，待衬底温度降至450℃以下再关As挡板，完成InAs纳米

专利地区：北京