一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法专利登记公告

专利名称：一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法

摘要：一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018656.7

专利申请（专利权）人：厦门大学

专利发明（设计）人：黄凯;李阳娟;李成;赖虹凯

主权项：一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；2)去除步骤1)中所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；3)对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。

专利地区：福建