存储元件和存储装置专利登记公告

专利名称：存储元件和存储装置

摘要：本发明提供了一种在低电压和低电流下工作时可提高写入和擦除特性的存储元件和存储装置。所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置于第一电极侧；离子源层，其设置于第二电极侧；中间层，其设置于电阻变化层和离子源层之间；以及阻挡层，其设置于离子源层和中间层之间以及中间层和电阻变化层之间的至少一处，并且所述阻挡层包含过渡金属或其氮化物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061233.3

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：大场和博;曾根威之;紫牟田雅之;保田周一郎

主权项：一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置于所述第一电极侧；离子源层，其设置于所述第二电极侧；中间层，其设置于所述电阻变化层和所述离子源层之间；以及阻挡层，其设置于所述离子源层和所述中间层之间以及/或者所述中间层和所述电阻变化层之间，并且所述阻挡层包含过渡金属或其氮化物。

专利地区：日本