一种电荷俘获存储器专利登记公告

专利名称：一种电荷俘获存储器

摘要：本发明提供一种电荷俘获存储器，包括：衬底、源极、漏极、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述衬底的两端形成源级和漏极，形成于所述衬底之上的隧穿层将所述源极和漏极隔开，在所述隧穿层上面依次为电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述包围沟道的多栅极依次包围隧穿层、电荷俘获层和阻挡层。。本发明的多栅电荷俘获存储可以使在存储器编程、擦除的时间缩短并且可以降低在编程时的电压，提高信息保持时间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210117063.6

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：叶锋;刘晓彦;杜刚;康晋锋

主权项：一种电荷俘获存储器，其特征在于，包括：衬底、源极、漏极、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述衬底的两端形成源级和漏极，形成于所述衬底之上的隧穿层将所述源极和漏极隔开，在所述隧穿层上面依次为电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述包围沟道的多栅极依次包围隧穿层、电荷俘获层和阻挡层。

专利地区：北京