一种低成本直拉硅单晶的生产方法专利登记公告

专利名称：一种低成本直拉硅单晶的生产方法

摘要：本发明涉及一种低成本直拉硅单晶的生产方法。其特征在于：.在化料过程中，硅料温度低于1280℃时向炉内通入氮气，硅料温度高于1280℃后将通入炉内的气体由氮气改为通入氩气；在停炉10～20min后，将通入炉内的气体由氩气改为氮气。本发明的技术特点是在化料和停炉两个步骤中将通入的氩气改为通入氮气，降低了直拉硅单晶的生产成本，同时不会产生有害的Si3N4固体，保证了成晶率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061382.X

专利申请（专利权）人：天津市环欧半导体材料技术有限公司

专利发明（设计）人：菅瑞娟;李建宏;李立伟;张雪囡;徐强;宋都明;汪雨田

主权项：一种低成本直拉硅单晶的生产方法，其特征在于：步骤为⑴、拆清炉后，将石英坩埚放入石墨坩埚中，多晶硅物料装入石英坩埚内，换好要求的籽晶，关闭炉体，抽真空后加热升温熔化多晶硅；⑵、当硅温度低于1280℃时，向炉内通入氮气，炉压15Torr、氮气流量45slpm；⑶、当硅料温度高于1280℃后，将通入气体改为氩气，炉压和气体流量不变；⑷、待硅熔体温度稳定后，进行引晶、扩肩、转肩、等径保持和收尾过程，收尾后关闭加热、停炉；⑸、停炉10～20min后硅单晶的温度低于1300℃时，将通入气体由氩气改为氮气，气体流量60

专利地区：天津