一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法专利登记公告

专利名称：一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法

摘要：本发明涉及一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法，其特征在于：退火气氛为纯CO气体，气体流量为40~60slpm，气氛压力为常压。本发明的技术特点是保证去氧效果的同时不会在硅晶片中引入氢而降低硅晶片的机械性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061383.4

专利申请（专利权）人：天津市环欧半导体材料技术有限公司

专利发明（设计）人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;陈峰;王刚;王岩

主权项：?一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法，其特征在于：步骤为⑴、对马弗炉进行温度设定，温度设定如下：2.5小时由室温升温至850℃，保持850℃4小时，以140℃/h的速率降温至室温停炉；⑵、将硅片放置于石英架上，石英架放置于马弗炉内；⑶、开机前以40~60slpm流量向马弗炉通入CO气体将马弗炉内空气置换，置换时间20~30分钟；?⑷、置换完成后，以40~60slpm流量通入纯CO气体并开机自动运行，气氛压力为常压；[5]、退火完成后将硅片和石英架取出。

专利地区：天津