晶体管及其制造方法以及功率转换系统专利登记公告

专利名称：晶体管及其制造方法以及功率转换系统

摘要：本发明公开了一种晶体管及其制造方法，以及一种功率转换系统。其中所述晶体管包括：外延层以及至少一个沟槽，其中所述沟槽的横截面为圆形，所述沟槽包括由外延层确定的沟槽表面、积淀在沟槽表面的栅氧化层以及积淀在沟槽内的栅导通区。晶体管的制造方法包括：在衬底上生长外延层；在外延层上积淀氧化层；在氧化层上积淀并图案化光刻胶；以及刻蚀氧化层和所述外延层以形成至少一个横截面为圆形的沟槽，其中所述沟槽表面由所述外延层确定；在沟槽表面生长第二氧化层；在至少一个沟槽内形成栅导通区。所述功率转换系统包括至少一个开关，所述开关包括上

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061502.6

专利申请（专利权）人：凹凸电子（武汉）有限公司

专利发明（设计）人：汉密尔顿·卢;拉兹洛·利普赛依

主权项：一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：外延层；以及至少一个沟槽，其中所述沟槽的横截面为圆形，所述沟槽包括由所述外延层确定的沟槽表面、积淀在所述沟槽表面的栅氧化层、以及积淀在所述沟槽内的栅导通区。

专利地区：湖北