场效应晶体管及其制造方法、固态成像装置和电子设备专利登记公告
专利名称：场效应晶体管及其制造方法、固态成像装置和电子设备
摘要：根据本公开，可将场效应晶体管的栅电极进一步微细化。所述场效应晶体管包括：基板；构造成形成在所述基板上且具有鳍区的半导体层，而源区和漏区形成在所述鳍区的两端处；和构造成具有凸部的栅电极，所述凸部局部地接触所述鳍区的至少两面。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210063615.X
专利申请（专利权）人：索尼公司
专利发明（设计）人：吉田慎一
主权项：一种场效应晶体管，包括：基板；半导体层，构造成形成在所述基板上且具有鳍区，在所述鳍区的两端处形成源区和漏区；和栅电极，构造成具有凸部，所述凸部局部地接触所述鳍区的至少两面。
专利地区：日本
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