具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件专利登记公告

专利名称：具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件

摘要：本发明涉及具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件。在一个总体方面，披露一种装置，该装置可以包括位于外延层的第一沟槽中的第一沟槽氧化物，并且具有位于该第一沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物。该装置可以包括位于第一沟槽旁侧的第二沟槽。第一氧化物的沟槽底部氧化物部分可以具有大于在外延层内从第一沟槽到第二沟槽的距离的厚度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210071875.1

专利申请（专利权）人：飞兆半导体公司

专利发明（设计）人：朴赞毫;阿肖克·沙拉;瑞图·索迪

主权项：一种装置，包括：第一沟槽氧化物，位于外延层的第一沟槽中，并且具有位于所述第一沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物；以及位于所述第一沟槽旁侧的第二沟槽，所述第一氧化物的所述沟槽底部氧化物具有大于在所述外延层中从所述第一沟槽到所述第二沟槽的距离的厚度。

专利地区：美国