MOS晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：MOS晶体管及其制造方法

摘要：本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法。根据本发明的MOS晶体管，其包括：布置在衬底中的阱区、以及布置在源极及漏极之间的栅极、布置在所述源漏阱区中的位于源极及漏极之间的轻掺杂区、布置在所述源漏阱区中的源极及漏极；其中，源极及漏极的上表面低于栅极的栅极氧化物的下表面；并且，所述轻掺杂区位于所述栅极的下方。根据本发明的MOS晶体管制造方法包括：在生长了栅氧和多晶硅的衬底上涂覆光刻胶，并执行光刻以形成源漏区；利用所述光刻胶刻蚀多晶硅和栅氧；利用所述光刻胶刻蚀硅衬底；以及利用所述光刻胶分别进行阱注入、轻掺杂区注

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061962.9

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：吴小利

主权项：一种MOS晶体管，其特征在于包括：布置在衬底中的阱区、以及布置在源极及漏极之间的栅极、布置在所述源漏阱区中的位于源极及漏极之间的轻掺杂区、布置在所述源漏阱区中的源极及漏极；其中，源极及漏极的上表面低于栅极的栅极氧化物的下表面；并且，所述轻掺杂区位于所述栅极的下方。

专利地区：上海