具有超结结构的半导体器件及其制作方法专利登记公告

专利名称：具有超结结构的半导体器件及其制作方法

摘要：公开了一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括在晶片上形成的基本上矩形的第一区和在第一区外围的第二区，在所述第一区中设置沟槽栅极金属氧化物半导体(MOSFET)单元的多个沟槽区和多个立柱，其中相邻的沟槽区被立柱隔开，在沟槽区和立柱之间形成本体区，在所述第二区中形成沿着第一区的相应边延伸的多个立柱，其中，在所述第二区的角落中，多个横向立柱的端部与多个竖向立柱的端部分开并彼此交错。上述方案通过将转角处立柱之间形成为交错结构并在它们之间保持一定间距实现了在转角处的电荷平衡，从而避免了此处击穿的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057865.2

专利申请（专利权）人：成都芯源系统有限公司

专利发明（设计）人：马荣耀;李铁生;唐纳德·迪斯尼;张磊

主权项：一种具有超结结构的半导体器件，包括在晶片上形成的基本上矩形的第一区和在第一区外围的第二区，在所述第一区中设置沟槽栅极金属氧化物半导体(MOSFET)单元的多个沟槽区和多个立柱，其中相邻的沟槽区被立柱隔开，在沟槽区和立柱之间形成本体区，在所述第二区中形成沿着第一区的相应边延伸的多个立柱，其中，在所述第二区的角落中，多个横向立柱的端部与多个竖向立柱的端部分开并彼此交错。

专利地区：四川