具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法专利登记公告

专利名称：具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法

摘要：本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的沟道区，其中，所述半导体衬底上未形成所述沟道区的区域形成有绝缘层；形成在所述沟道区和绝缘层上的具有第二掺杂类型的漏区或源区，所述漏区或源区的第一部分包覆所述沟道区的第一部分；形成在所述漏区或源区的第一部分上的栅结构，所述栅结构包覆所述漏区或源区的第一部分。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以改善TFET器件的驱动能力。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210035782.3

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：崔宁;梁仁荣;王敬;许军

主权项：一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的沟道区，其中，所述半导体衬底上未形成所述沟道区的区域形成有绝缘层；形成在所述沟道区和绝缘层上的具有第二掺杂类型的漏区或源区，所述漏区或源区的第一部分包覆所述沟道区的第一部分；形成在所述漏区或源区的第一部分上的栅结构，所述栅结构包覆所述漏区或源区的第一部分。

专利地区：北京