保护元件和具有该保护元件的半导体器件专利登记公告

专利名称：保护元件和具有该保护元件的半导体器件

摘要：本发明涉及保护元件和具有该保护元件的半导体器件。所述保护元件包括：源极区域和漏极区域，其形成在半导体层中；栅极，其形成在所述半导体层上，在所述栅极和所述半导体层之间夹着栅极绝缘膜；源极，其连接到所述源极区域的表面，并电接地；漏极，其连接到所述漏极区域的表面，并用于接收浪涌输入；以及第一二极管，其连接在所述源极和所述栅极之间。根据本发明，能够基于连接在栅极和源极之间的二极管的数量，改变电压Vt1的大小。而且，由于不需要额外的制造过程，所以能够通过MOS结构的普通制造过程，容易地制造保护元件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110451216.6

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：巽孝明

主权项：一种用于保护电路元件的保护元件，所述保护元件包括：源极区域和漏极区域，其形成在半导体层中；栅极，其形成在所述半导体层上，在所述栅极和所述半导体层之间夹着栅极绝缘膜；源极，其连接到所述源极区域的表面，并电连接到地；漏极，其连接到所述漏极区域的表面，并用于接收浪涌输入；以及第一二极管，其连接在所述源极和所述栅极之间。

专利地区：日本