磁场传感器专利登记公告

专利名称：磁场传感器

摘要：本发明涉及一种磁场传感器。该磁场传感器包括：磁场发生器，除测量磁场之外生成辅助磁场，其中，测量磁场指示可旋转元件的角度或旋转；至少一个XMR元件，生成XMR检测信号；以及计算单元，基于XMR检测信号和辅助磁场确定角度或旋转特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210062390.6

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：阿明·萨茨

主权项：一种方法，包括：除测量磁场之外生成辅助磁场，使得所述辅助磁场和所述测量磁场的最终合成磁场在XMR元件处超过所述XMR元件的饱和极限；用所述XMR元件感测所述最终合成磁场；基于对所述最终合成磁矢量的感测来确定所述测量磁场的至少一个特性。

专利地区：德国

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