一种微机械磁场传感器及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种微机械磁场传感器及其制备方法

摘要：本发明提供一种微机械磁场传感器及其制备方法，属于微机电系统领域。该方法通过在器件结构层上制作出金属线圈及焊盘，然后利用干法刻蚀制作出器件结构，并将器件结构进行释放以形成谐振振子。本发明提出的微机械磁场传感器的谐振振子工作在扩张模态，因而金属线圈上每小段金属切割磁感线产生感应电动势会相互叠加，增强了输出信号的强度。此外，本发明所述的微机械磁场传感器具有低功耗、驱动-检测电路简单、受温度影响小、以及工艺简单等优点，具有高度的产业价值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210134030.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：熊斌;吴国强;徐德辉;王跃林

主权项：一种微机械磁场传感器的制备方法，其特征在于，至少包括：1)提供一SOI衬底；2)在所述SOI衬底顶层硅上沉积一层电绝缘介质层，通过对该电绝缘介质层进行图案化处理和刻蚀工艺以分别保留预制备谐振振子区域、预制备测试焊盘区域、预制备支撑梁区域、以及预制备锚点区域的电绝缘介质层；3)在对应所述谐振振子区域的电绝缘介质层上制备一或多层金属线圈，并在所述测试焊盘区域形成测试焊盘、在部分所述锚点区域形成金属焊盘、以及在所述谐振振子区域周缘外侧的顶层硅上形成电极焊盘；4)通过光刻和深反应离子刻蚀工艺去除部分顶层硅，在对应

专利地区：上海